In-Memory 컴퓨팅 기술을 선도하는 반도체
CIM(Compute-In-Memory)는 폰 노이만 아키텍처와 같이 메모리와 연산이 분리되지 않고 같은 영역에서 연산과 저장이 이루어지는 반도체의 방식을 의미합니다.
비슷한 개념으로 PIM(Processing-In-Memory)가 있으나, CIM이 보다 포괄적인 개념인데 반해 PIM은 이를 구현하기 위해 프로세서를 메모리 근처에 배치하는 것과 같은 특정 방식의 아키텍처를 의미합니다.
터넬은 CIM이Memory Cell 구조에서부터 변화를 모색하는 기술이기 때문에 PIM 보다는 CIM 관점에서 접근하고 있으며,
기존 2진법의 CIM 보다 컴팩트하고 전력 효율적인 3진법 T-CIM (Ternary Compute-In-Memory) 솔루션을 제공합니다.
또한, 최적화된 analog-to-digital conversion 및 Multiply-Accumulate (MAC) 연산을 통해 리소스가 제한된 환경에서도 최상의 AI 처리를 지원합니다.
T-CIM의 세계최초 실리콘 구현 : 매크로 면적 오버헤드를 최소화하여 컴팩트하고 효율적인 설계
면적 35% 절감 : 1.5-bit Ternary Computing Cells을 통해 뛰어난 공간 효율성을 제공
에너지 61% 절감 : Ternary input/weight 기반의 zero-skip 연산으로 기존 binary 시스템에 비해 에너지 소비를획기적 절감
하이브리드 비트라인 MAC : 터넬만의 아날로그 MAC 연산 조합을 통해 에너지 효율성을 향상시키며, 배터리 용량이 제한적인 애플리케이션에 최적화
Double Sampling 3진 ADC : 기존 2진 ADC 대비 두 배의 아날로그-디지털 변환 처리량을 제공하여 AI 추론 연산의 성능을 대폭 개선
최적화된 신호 여유 : 혁신적인 아날로그 CIM 설계를 통해 밀집된 병렬 작업에서도 안정적인 성능을 보장
